
- ①2
- ②4
- ③6
- ④8
- ⑤12
正解と解説を見る
左の経路では、76Vの電池から8Aが3Ωと2Ωを流れます。中央の節点の電圧は 76-8×(3+2)=36V です。
右の経路には4Aが流れ、12Vの電池(電流に逆らう向き)とR2があります。36=12+4×R2 より R2=24÷4=6Ω。
令和6年度第1回とまったく同じ形の問題です(数値違い)。
工事担任者試験(総合通信)令和3年度第2回の「電気通信技術の基礎」全22問を、問題文・選択肢・正解と、根拠や計算過程まで書いた解説つきでまとめました。各問の「正解と解説を見る」を開くと答えを確認できます。

左の経路では、76Vの電池から8Aが3Ωと2Ωを流れます。中央の節点の電圧は 76-8×(3+2)=36V です。
右の経路には4Aが流れ、12Vの電池(電流に逆らう向き)とR2があります。36=12+4×R2 より R2=24÷4=6Ω。
令和6年度第1回とまったく同じ形の問題です(数値違い)。

コイルの電圧(10V)とコンデンサの電圧(22V)は逆向きなので差をとり、22-10=12V。抵抗の電圧9Vとは90°ずれています。
全体の電圧は √(9²+12²)=√225=15V(3:4:5の比)です。
時定数 τ=RC なので、6÷2=3倍です。令和4年度第2回とまったく同じ問題文です。
誘電分極です。令和6年度第2回とほぼ同じ問題文です。
スイッチング素子です。令和5年度第2回とまったく同じ問題文です。

IB=(2-1)÷50kΩ=20μA、IC=100×20μA=2mA。
RCでの電圧降下は 2mA×3kΩ=6V なので、VCE=12-6=6V。令和5年度第1回とほぼ同じ形の問題です。
A PINフォトダイオードは、3層構造の受光素子であり、電流増幅作用は持たないが、アバランシェフォトダイオードと比較して低い動作電圧で利用できる。
B アバランシェフォトダイオードは、電子なだれ増倍現象による電流増幅作用を利用した受光素子であり、光検出器などに用いられる。
A・Bとも正しい。
A MOS型電界効果トランジスタは、金属、酸化膜及び半導体の3層から成り、ソース電極に加える電圧を変化させることにより反転層を変化させ、ドレイン-ゲート間を流れる電流を制御する半導体素子である。
B 接合型電界効果トランジスタは、ゲート電極に加える電圧を変化させることにより空乏層の厚さを変化させ、ドレイン-ソース間を流れる電流を制御する半導体素子である。
A:MOS型FETはゲート電極の電圧で反転層(チャネル)を変化させ、ドレイン-ソース間の電流を制御します。誤り。
B:接合型FETの説明として正しい(令和6年度第2回でも同じ文)。
コレクタ電流ICです。令和4年度第2回と同じ問題で、選択肢の順番が違います。

論理積は「3つの図すべてで斜線になっている部分」です。円を7つの領域に分けて図ごとに斜線の有無を確かめると、すべての図で斜線になっているのは次の2つです。
よって答えは A・B・C+A・B・C です。
| X1 | 101110 |
| X2 | 111101 |
X1=101110=46、X2=111101=61 なので、X0=107。
107=6×16+11 なので、16進数では 6B です(11=B)。

2つのNANDゲートには、前段のゲートから常に互いに逆の値が入るため、このフリップフロップは状態を保持しません。出力を区間ごとに求めると、c は a・b の否定(a・b)になります。
区間ごとに a・b は 0,0,0,1,0,0,0,1 なので、c は 1,1,1,0,1,1,1,0。これと一致するのはc1です。
フリップフロップの問題は、前段の出力が「上下で常に逆になっているか」を最初に確かめると、記憶動作を考えずに済み、速く解けます。
ド・モルガンで A+B=A・B、A+C=A・C です。
X=(A+B+C)・(A・B+A・C)。A・B も A・C も (A+B+C) に含まれる領域なので、掛けても変わりません。
よって X=A・B+A・C です。

145mVに対して14.5mVなので1/10倍、つまり-20dBです。
-58+G=-20 より、増幅器の利得は38dB。令和5年度第1回(遠端漏話66dBで46dB)と同じ形の問題です。
同軸ケーブルの損失は周波数の平方根に比例するので、約2倍です。令和5年度第2回とほぼ同じ問題です。

SN比=10 log10(25÷0.025)=10 log101000=30dB。令和6年度第1回と同じ形の問題です。

電流反射係数は -m です。令和4年度第2回・令和6年度第2回でも出題されています。
変調度が1より大きいと過変調になります。令和6年度第1回では「過変調」の方が空欄でした。
A 音声回線における減衰ひずみが大きいと、鳴音が発生したり反響が大きくなるなど、通話品質の低下の要因となる場合がある。
B 減衰ひずみは、非直線ひずみの一種であり、伝送路における信号の減衰量が周波数に対して比例関係にあるために生ずるひずみである。
A:正しい。
B:減衰ひずみは、減衰量が周波数に対して一定でないために生じる線形ひずみです。入出力が比例しないために生じる非直線ひずみとは別物なので誤り。
一括増幅です。令和5年度第1回と同じ問題で、選択肢の順番が違います。
エラーがあったのは2秒なので、%ES=2÷100×100=2%。エラーの個数(640個)は関係ありません。令和6年度第2回(200秒で1%)と同じ形の問題です。
レイリー散乱です。令和6年度第1回とほぼ同じ問題文です。
| 問題 | 分野 | 正解 |
|---|---|---|
| 第1問(ア) | 直流回路(キルヒホッフの法則) | ③ |
| 第1問(イ) | 交流回路(RLC直列の電圧) | ③ |
| 第1問(ウ) | 時定数(RC回路) | ④ |
| 第1問(エ) | 電磁気(誘電分極) | ⑤ |
| 第2問(ア) | サイリスタ | ③ |
| 第2問(イ) | トランジスタ(バイアス計算) | ④ |
| 第2問(ウ) | 受光素子(PIN・APD) | ③ |
| 第2問(エ) | 電界効果トランジスタ(FET) | ② |
| 第2問(オ) | トランジスタ(電流伝達特性) | ① |
| 第3問(ア) | 論理回路(ベン図・論理積) | ① |
| 第3問(イ) | 2進数の加算と16進数 | ③ |
| 第3問(ウ) | 論理回路(フリップフロップ) | ① |
| 第3問(エ) | ブール代数 | ③ |
| 第4問(ア) | 伝送理論(漏話と増幅器) | ② |
| 第4問(イ) | 伝送理論(同軸ケーブルの損失) | ③ |
| 第4問(ウ) | 伝送理論(SN比) | ④ |
| 第4問(エ) | 伝送理論(電流反射係数) | ③ |
| 第5問(ア) | アナログ変調(過変調) | ⑤ |
| 第5問(イ) | 減衰ひずみ | ① |
| 第5問(ウ) | 光中継器(一括増幅) | ② |
| 第5問(エ) | 伝送品質(%ESの計算) | ③ |
| 第5問(オ) | 光ファイバ(レイリー散乱) | ① |
出典:一般財団法人日本データ通信協会 工事担任者試験問題(令和3年度第2回)。解説は当サイトが独自に作成したものです。誤りにお気づきの場合はご意見フォームからお知らせください。