
- ①2
- ②4
- ③8
- ④12
- ⑤16
正解と解説を見る
はしご形回路は、出力側(c-d)から電圧と電流を順にさかのぼると簡単に解けます。
- c-d間の1Ωに1V → 電流1A。直列の1Ωで1V下がるので、その手前の点は2V
- そこにつながる縦の2Ωには 2÷2=1A。合計2Aが次の1Ωを流れ、2V下がるので、その手前は4V
- 縦の2Ωに 4÷2=2A。合計4Aが左端の2Ωを流れ、8V下がるので、a-b間は 4+8=12V
a-b直結の縦の2Ωは電源に並列なので、電圧には影響しません。
工事担任者試験(総合通信)令和7年度第1回の「電気通信技術の基礎」全22問を、問題文・選択肢・正解と、根拠や計算過程まで書いた解説つきでまとめました。各問の「正解と解説を見る」を開くと答えを確認できます。

はしご形回路は、出力側(c-d)から電圧と電流を順にさかのぼると簡単に解けます。
a-b直結の縦の2Ωは電源に並列なので、電圧には影響しません。

電圧をVとすると、IR=V/4、IC=V/3 で、両者は90°ずれています。
I=√(IR²+IC²)=V×√(1/16+1/9)=V×5/12。これが15Aなので V=36V。
IR=36÷4=9A(ICは12Aで、9²+12²=15² となり確認できます)。
接地した導体で囲むと内側の電荷の影響が外に出なくなる、静電遮蔽です。令和5年度第1回とまったく同じ問題文です。
電荷=電流×時間(秒)で、Q=I×t〔C〕です。
T「時間」を秒に直すと 3600T 秒なので、Q=A×3600T=3600ATクーロンです。単位の換算を見落とさないようにしましょう。
A 不純物半導体において、正孔を生ずる不純物はドナーといわれ、自由電子を生ずる不純物はアクセプタといわれる。
B 4価のシリコン(Si)の真性半導体に、インジウム(In)などの3価の元素を微量に加えることにより、生成される自由電子が電気伝導の主たる担い手となる不純物半導体はn形半導体といわれる。
A:逆です。自由電子を生ずる不純物(5価)がドナー、正孔を生ずる不純物(3価)がアクセプタです。誤り。
B:3価の元素を加えると正孔が多数キャリアのp形半導体になります。誤り。

ベース電流は IB=(10-0.7)÷930kΩ=10μA。
コレクタ電流は IC=50×10μA=0.5mA。
RCでの電圧降下は 10-6=4V なので、RC=4V÷0.5mA=8kΩ です。
A 可変容量ダイオードは、逆方向電圧の大きさにより、静電容量が変化する特性を持つ素子であり、周波数変調回路などに用いられる。
B バリスタは、印加電圧がある値を超えると、その抵抗値が急激に上昇して電流が減少する非直線性の特性を持つ素子であり、電話機の衝撃性雑音の吸収回路などに用いられる。
A:可変容量ダイオードの説明として正しい。
B:逆です。バリスタは電圧がある値を超えると抵抗値が急激に低下して電流が増加します。これにより過電圧を吸収します。誤り。
バイアス回路は、信号がないときのベース電流・コレクタ電流などを決め、トランジスタの動作点を設定します。動作点が適切でないと、出力波形がひずみます。
出力側の電圧VCEと電流ICの関係なので出力特性です。

論理和は「3つの図のどれか1つでも斜線になっている部分」です。3つの図を重ねると、円の内部のうちAとBが重なる部分(A・B)だけがどの図でも斜線になっていません。
「円のどこか(A+B+C)」で、かつ「A・Bではない」領域なので、(A+B+C)・A・B です。
論理積の問題とは逆に、「どの図にも斜線がない領域」を探すと速く解けます。
| X1 | B6E |
| X2 | F9D |
| X3 | AC3 |
16進数のまま、下の桁から筆算します(A=10、B=11、…、F=15)。
よって X0=25CE です。

上側のNANDには a・b(=a+b)が、下側のNANDには a+b が入ります。2つの入力は常に逆の値なので、状態は保持されません。
つまり d=a+b で、a・bとも0の区間だけ1になります。区間ごとに求めると 1,0,0,0,1,0,0,0 で、これと一致するのはd3です。
分配法則で (A+B)(A+C)=A+B・C、(A+B)(A+C)=A+B・C と整理できます。
X=A+B・C・A+B・C=(A・B・C)・(A・B・C)(ド・モルガン)
この中に A・A=0 が含まれるので、X=0 です。

変成器の巻線比が4:3なので電圧は3/4倍になります。電圧計が1.5mVなら、変成器の入力側は 1.5×4÷3=2.0mV。
入力200mVから2.0mVまでは1/100倍、つまり-40dBです。
回線20kmの損失を x dB/km とすると、-20x-12=-40 より x=1.4dB/km。
基準点との比を表すのが相対レベル〔dBr〕です。
1mWとの比を表すのは絶対レベル〔dBm〕で、こちらは有線電気通信設備令でも定義されています。
A 漏話減衰量Xデシベルは、誘導回線の信号電力をPsミリワット、被誘導回線の漏話による電力をPxミリワットとすると、次式で表される。
B 誘導回線の信号が被誘導回線に現れる漏話のうち、誘導回線の信号の伝送方向を正の方向とし、その反対方向を負の方向とすると、正の方向に現れるものは近端漏話といわれる。
A:漏話減衰量の式として正しい。値が大きいほど漏話が小さい(よい)ことを表します。
B:信号と同じ正の方向(遠い側)に現れるのは遠端漏話、逆方向(送信側)に現れるのが近端漏話です。誤り。

電流反射係数は、送端側をZ1、受端側をZ2として (Z1-Z2)÷(Z1+Z2) です。
伝送方向は550Ω→450Ωなので、(550-450)÷(550+450)=100÷1000=0.1。
電圧反射係数は符号が逆の (Z2-Z1)÷(Z1+Z2)=-0.1 です。令和5年度第1回は電圧反射係数を問う問題でした。
8PSKは8つの位相を使うので、1シンボルで log28=3ビットを送れます。③が正しい。
波長の間隔を広くとり(約20nm)、多重数を数〜十数波長に抑えた低コストな方式がCWDM(Coarse WDM)です。
波長間隔を狭くして数十〜百波長以上を多重するのがDWDM(Dense WDM)です。
A PCM伝送に特有の雑音には、量子化雑音、ランダム雑音、熱雑音などがある。
B アナログ信号をデジタル化して伝送する方式では、アナログ信号の連続量を離散的な値に変換するときの誤差により生ずる雑音は避けられない。
A:PCM伝送に特有なのは量子化雑音などです。ランダム雑音や熱雑音はアナログ伝送でも生じる一般的な雑音なので誤り。
B:連続量を離散的な値に丸めるときの誤差(量子化雑音)は避けられません。正しい。
受信側だけで誤りを訂正するのがFEC(Forward Error Correction、前方誤り訂正)です。
ARQは誤りを検出したら再送を要求する方式、CRC・FCSは誤り検出の方式です。
直接変調で駆動電流を高速に変えると、レーザの発振波長が揺らぎます。これが波長チャーピングです。波長分散と組み合わさると波形が劣化するため、高速・長距離では外部変調方式が使われます。
| 問題 | 分野 | 正解 |
|---|---|---|
| 第1問(ア) | 直流回路(はしご形回路) | ④ |
| 第1問(イ) | 交流回路(RC並列) | ③ |
| 第1問(ウ) | 電磁気(静電遮蔽) | ③ |
| 第1問(エ) | 電荷と電流 | ⑤ |
| 第2問(ア) | 半導体(ドナー・アクセプタ) | ④ |
| 第2問(イ) | トランジスタ(バイアス計算) | ③ |
| 第2問(ウ) | 回路素子(可変容量ダイオード・バリスタ) | ① |
| 第2問(エ) | トランジスタ(バイアス回路) | ③ |
| 第2問(オ) | トランジスタ(静特性) | ⑤ |
| 第3問(ア) | 論理回路(ベン図・論理和) | ④ |
| 第3問(イ) | 16進数の加算 | ④ |
| 第3問(ウ) | 論理回路(フリップフロップ) | ③ |
| 第3問(エ) | ブール代数 | ① |
| 第4問(ア) | 伝送理論(伝送損失の計算) | ④ |
| 第4問(イ) | 伝送理論(相対レベル) | ② |
| 第4問(ウ) | 伝送理論(漏話) | ① |
| 第4問(エ) | 伝送理論(電流反射係数) | ④ |
| 第5問(ア) | デジタル変調方式 | ③ |
| 第5問(イ) | 波長分割多重(CWDM) | ① |
| 第5問(ウ) | デジタル伝送の雑音 | ② |
| 第5問(エ) | 誤り訂正(FEC) | ⑤ |
| 第5問(オ) | 光変調(チャーピング) | ④ |
出典:一般財団法人日本データ通信協会 工事担任者試験問題(令和7年度第1回)。解説は当サイトが独自に作成したものです。誤りにお気づきの場合はご意見フォームからお知らせください。