工事担任者試験（総合通信）令和7年度第2回の「電気通信技術の基礎」全22問を、問題文・選択肢・正解と、根拠や計算過程まで書いた解説つきでまとめました。各問の「正解と解説を見る」を開くと答えを確認できます。
2つの電池の間の点（左の中央）を電位0Vとすると、上の電池の上端は＋40V、下の電池の下端は－40Vです。右側の中央の点の電位をVとして、その点に流れ込む電流の和を0とおきます（キルヒホッフの電流則）。
(40－V)/2－V/2＋(－40－V)/4＝0 を解くと 10＝1.25V より V＝8V。
2Ωの抵抗に流れる電流は 8÷2＝4A です。
コイルに流れる電流は 45÷3＝15A（電圧より90°遅れ）、コンデンサに流れる電流は 45÷5＝9A（90°進み）です。
2つの電流は向きが正反対なので打ち消し合い、全電流は 15－9＝6A になります。
ファラデーの電磁誘導の法則により、誘導起電力は「巻数×磁束の変化率」で e＝N×ΔΦ／Δt です（向きを含めると－Nの符号が付きます）。
1巻きごとに同じ大きさの起電力が生じ、それがN巻き分直列につながると考えると覚えやすいです。
磁界中の電流に働く力（電磁力）は F＝BIL〔N〕です。力の向きはフレミングの左手の法則で求めます（中指＝電流、人差し指＝磁界、親指＝力）。
A 半導体中の自由電子や正孔に濃度差があるとき、自由電子や正孔が濃度の高い方から低い方に移動する現象は、拡散といわれる。
B 半導体に電界を加えたとき、半導体中の自由電子や正孔が電界から力を受けて移動する現象は、整合といわれる。
A：濃度差による移動は拡散です。正しい。
B：電界から力を受けて移動する現象はドリフトです。整合ではないので誤り。
半導体中の電流は「拡散電流」と「ドリフト電流」の2種類、とセットで覚えましょう。
ベース電圧はR1とR2の分圧で決まります。VBE＝20×100÷(100＋2400)＝0.8V。
図2でVBE＝0.8Vを読むと IB＝40μA。図3で IB＝40μA の曲線を読むと IC＝4mA。
R3での電圧降下は 4mA×3kΩ＝12V なので、VCE＝20－12＝8V です。
A ツェナーダイオードは、逆方向に加えた電圧がある値を超えると急激に電流が増加し、広い電流範囲で電圧を一定に保つ特性を有する。
B 可変容量ダイオードは、コンデンサの働きを持つ半導体素子であり、pn接合ダイオードに加える逆バイアス電圧を制御することにより、静電容量を変えることができる。
A・Bとも正しい。
バリスタは、ある電圧を超えると急に抵抗が下がって電流が流れる、電圧－電流特性が非直線的な素子です。雷サージなどの過電圧から回路を守るために使われます。
温度で抵抗が変わるのはサーミスタです。
入力インピーダンス最小・出力インピーダンス最大なのはベース接地です。
反対に、入力インピーダンス最大・出力インピーダンス最小なのはコレクタ接地（エミッタホロワ）。エミッタ接地はその中間で、電力利得が最大です。
論理積は「3つの図すべてで斜線になっている部分」です。円を「Aだけ」「Bだけ」「AとBだけ」…の7つの領域に分けて、図ごとに斜線の有無を確認します。
3つの図すべてで斜線になっているのはAだけの領域（Aの円のうちBにもCにも入らない部分）だけです。
よって答えは A･B･C です。
| X1 | 110101 |
| X2 | 11101 |
10進数に直すと X1＝110101＝53、X2＝11101＝29 です。
X0＝53×29＝1537。1537＝1024＋512＋1 なので、2進数では 11000000001（11桁）になります。
左から4・5・6番目は「0・0・0」なので、答えは000です。
Mへの2つの入力を求めます。
MをORとすると C＝(A＋B)＋A･B＝A＋B（A･BはAに吸収される）となり、条件に合います。よって②のORです。
ANDにすると C＝(A＋B)･A･B＝A･B となり、条件に合いません。
ド・モルガンの法則で、A＋C＝A･C、A＋B＝A･B です。
X＝(A＋B)･(A･C＋A･B)･(A＋C)
(A＋B)･(A･C＋A･B)＝A･C＋A･B（A･A＝A などで整理）。これに (A＋C) を掛けると、A との積は0になり、A･C･C＝A･C、A･B･C が残ります。
A･C＋A･B･C＝A･C（吸収則）です。
変成器の2次側（300Ω）には、600ΩのR1とR2が並列につながっています（合成300Ωで整合）。電力はR1とR2で半分ずつ消費されるので、変成器から出る電力は 240×2＝480mW。
入力48mWに対して480mWなので10倍、つまり＋10dBです。
－0.8×L＋26＝10 より L＝20km。
A 単位長さ当たりの心線導体抵抗を小さくすると、その伝送損失は増加する。
B 心線導体間の間隔を大きくすると、その伝送損失は増加する。
A：導体抵抗が小さいほど伝送損失は減少します。誤り。
B：心線間の間隔を大きくすると静電容量が小さくなり、伝送損失は減少します。誤り。
音声周波数帯の伝送損失は、おおよそ√(導体抵抗×静電容量)に比例すると覚えておくと判断しやすいです。
どの周波数成分も同じだけ減衰し（減衰ひずみがない）、位相の遅れが周波数に比例する（どの成分も同じ時間だけ遅れる＝位相ひずみがない）とき、波形は崩れずに伝わります。
理想変成器では、インピーダンスの比は巻線比の2乗になります。Z1：Z2＝n1²：n2²。
n1：n2＝√240：√540＝√4：√9＝2：3 です。
④の4：9はインピーダンス比そのものなので、2乗の関係を忘れないようにしましょう。
1シンボルで2ビット送れるので、シンボルレート＝ビットレート÷2＝N／2シンボル／秒です。
16QAMなら1シンボル4ビットなのでN／4、BPSKなら1ビットなのでNになります。
標本化定理により、元の信号の周波数はサンプリング周波数の1/2以下です。そのため、サンプリング周波数の1/2より低い周波数だけを通す低域通過フィルタ（LPF）で元の信号を取り出せます。
電界によって屈折率が電界に比例して変化する現象がポッケルス効果です。LiNbO3（ニオブ酸リチウム）を使った外部変調器などで利用されます。
ファラデー効果は磁界で偏光面が回転する現象です。
A 再生中継を行っているデジタル伝送方式において、中継区間で発生する雑音には、ランダム雑音、熱雑音などがあり、これらの雑音は各中継区間ごとに累積されて伝達される。
B 増幅回路などにおける信号電力対雑音電力比の劣化の程度を表す尺度として、雑音指数が用いられる。
A：再生中継器は、受信したパルスを識別して作り直すので、雑音は中継区間ごとに除去され、累積しません（識別を誤った符号誤りは累積します）。誤り。
B：雑音指数＝入力のS/N÷出力のS/N で、増幅器などでS/Nがどれだけ悪化したかを表します。正しい。
構造分散＋材料分散＝波長分散です。シングルモードファイバでは伝搬モードが1つなので、モード分散は生じません。
令和5年度第1回でもほぼ同じ文で出題されています。
| 問題 | 分野 | 正解 |
|---|---|---|
| 第1問（ア） | 直流回路（キルヒホッフの法則） | ④ |
| 第1問（イ） | 交流回路（LC並列） | ② |
| 第1問（ウ） | 電磁気（ファラデーの法則） | ④ |
| 第1問（エ） | 電磁気（電磁力） | ① |
| 第2問（ア） | 半導体（拡散とドリフト） | ① |
| 第2問（イ） | トランジスタ（バイアス回路） | ④ |
| 第2問（ウ） | ダイオード（ツェナー・可変容量） | ③ |
| 第2問（エ） | バリスタ | ③ |
| 第2問（オ） | トランジスタ（接地方式） | ② |
| 第3問（ア） | 論理回路（ベン図） | ④ |
| 第3問（イ） | 2進数の計算（乗算） | ① |
| 第3問（ウ） | 論理回路（論理素子の特定） | ② |
| 第3問（エ） | ブール代数 | ③ |
| 第4問（ア） | 伝送理論（伝送損失と線路長） | ② |
| 第4問（イ） | 伝送理論（伝送損失） | ④ |
| 第4問（ウ） | 伝送理論（ひずみのない伝送） | ③ |
| 第4問（エ） | 伝送理論（変成器による整合） | ① |
| 第5問（ア） | デジタル変調（QPSK） | ② |
| 第5問（イ） | PCM（復号） | ③ |
| 第5問（ウ） | 光変調（電気光学効果） | ⑤ |
| 第5問（エ） | 雑音（再生中継・雑音指数） | ② |
| 第5問（オ） | 光ファイバ（分散） | ① |
出典：一般財団法人日本データ通信協会 工事担任者試験問題（令和7年度第2回）。解説は当サイトが独自に作成したものです。誤りにお気づきの場合はご意見フォームからお知らせください。