令和8年度第1回 工事担任者 総合通信「基礎」過去問と解説

3つの枝（E₁とR₁・R₂、E₂とR₃、R₄）が上下2つの節点の間に並列につながっています。

E₁側の抵抗はR₁とR₂の並列で 5×20÷(5＋20)＝4Ω。上下の節点間の電圧Vをミルマンの定理で求めると、

V＝(46/4＋38/4＋0/5)÷(1/4＋1/4＋1/5)＝(11.5＋9.5)÷0.7＝30V

R₄に流れる電流は 30÷5＝6A です。

電源が複数ある並列回路は、ミルマンの定理（各枝の「起電力÷抵抗」の和 ÷ 各枝の「1÷抵抗」の和）を使うと一発で解けます。

並列回路では、Rの電流（5A）は電圧と同相、Lの電流（4A）は90°遅れ、Cの電流（16A）は90°進みます。LとCの電流は逆向きなので打ち消し合い、差は 16－4＝12A。

全電流は I＝√(5²＋12²)＝√169＝13A です。

自己誘導による起電力は e＝－L×(ΔI／Δt) で、自己インダクタンスLと電流変化率（単位時間あたりの電流の変化）の積です。

ファラデーの法則で表すと「コイルの巻数×磁束変化率」になりますが、「自己インダクタンスと〜の積」と問われたら電流変化率です。

力率＝有効電力P ÷ 皮相電力S（＝電圧の実効値×電流の実効値）です。cosθ と同じ値になります。

皮相電力S、有効電力P、無効電力Qの間には S²＝P²＋Q² の関係があります。

入り込んだ電子と正孔が出会って消滅することを再結合といいます。順方向電流は、この再結合が続くことで流れ続けます。

LEDは、この再結合のときに出るエネルギーを光として取り出す素子です。

図2より、I_Cは2mAを中心に1〜3mAで変化します。図3の直線（負荷線）で読むと、I_C＝3mAのときV_CE＝2V、I_C＝1mAのときV_CE＝6Vです。

V_CEは4Vを中心に2〜6V、つまり振幅2Vで変化します。

電圧増幅度＝出力振幅÷入力振幅＝2V÷0.1V＝20 です。

A：フォトダイオードは逆方向電圧を加えて使います。光が当たると、その強さに応じた逆方向電流が流れます。順方向としたので誤り。

B：LEDは順方向電圧を加えて、電子と正孔の再結合で発光します。逆方向としたので誤り。

「受光は逆方向、発光は順方向」とセットで覚えましょう。

トランジスタ1個＋コンデンサ1個で、電荷の有無で記憶するのはDRAMです。電荷が漏れるため定期的なリフレッシュが必要です。

SRAMはフリップフロップで記憶し、リフレッシュ不要・高速ですが、1セルあたりの素子数が多く大容量化しにくいメモリです。

エミッタ電流＝ベース電流＋コレクタ電流 なので、ベース電流は I_B＝2－1.95＝0.05mA。

h_FE＝I_C÷I_B＝1.95÷0.05＝39 です。

①の0.975（＝1.95÷2）はベース接地の電流増幅率αなので、引っかからないようにしましょう。

式を2つの項に分けて考えます。

• A･C･B：Bの円のうち、「AとCが両方重なる部分」を除いた領域（＝Bの円から中央のA･B･Cを除いたもの）
• A＋B＋C：どの円にも入らない外側の領域

この2つを合わせた「円の外側全体＋中央を除いたBの円」が斜線になっているのは図1です。

否定（上線）が付いた項は「その領域以外」と読み替えると、ベン図に落とし込みやすくなります。

10進数に直して足します。

• X₁＝11001111＝207
• X₂＝10110100＝180
• X₃＝10101001＝169
• X₄＝10010110＝150

合計は 207＋180＋169＋150＝706。

706＝2×256＋12×16＋2 なので、16進数では 2C2 です（12＝C）。

2進数を4桁ずつ区切って16進数にしてから足す方法でも解けます。

上側のNORにはNANDゲートの出力 a･b が、下側のNORには「aとbをそれぞれ否定してNORしたもの」＝ a･b が入ります。2つのNORには常に逆の値が入るので、状態は保持されません。

• a･b＝1のとき：下側NORの入力に1が入るので d＝0
• a･b＝0のとき：上側NORの入力に1が入り c＝0、下側NORは両入力0で d＝1

つまり d＝a･b です。区間ごとに a･b を求めると 0,0,0,1,0,0,0,1 なので、d は 1,1,1,0,1,1,1,0。これと一致するのはd2です。

前半の否定の中身を展開すると (A＋B)(B＋C)＝A･B＋B･C（A･Cは吸収される）。ド・モルガンで否定すると A･B＋B･C になります。

後半も同様に (A＋B)(B＋C)＝A･B＋B･C、その否定は A･B＋B･C です。

X＝(A･B＋B･C)(A･B＋B･C) を展開すると、A･B･A･B＝0、A･B･B･C＝A･B･C、B･C･A･B＝A･B･C、B･C･B･C＝0 となります（A･A＝0 などを使う）。

よって X＝A･B･C＋A･B･C。

変成器の巻線比が5：3なので、電圧は3/5倍になります。電圧計が15mVなら、変成器の入力側（増幅器の出力）は 15×5÷3＝25mV。

回線1の入力250mVから増幅器の出力25mVまでは1/10倍、つまり－20dBです。

－(漏話減衰量)＋40＝－20 より、遠端漏話減衰量は60dBです。

音声周波数帯では、伝送損失はおおよそ √(ωCR／2) に比例し、導体抵抗Rや静電容量Cが大きいほど増えます。

導体の直径を大きくすると抵抗が下がり、導体間の間隔を広げると静電容量が下がるので、どちらも損失は減ります。インダクタンスを増やすと損失が減る（装荷ケーブルの原理）点もあわせて覚えましょう。

音声周波では線路のインダクタンスと漏れコンダクタンスを無視でき、特性インピーダンスは Z≒√(R／ωC)＝√(R／2πfC) となります。

よって大きさは、周波数fと静電容量Cの平方根に反比例し、導体抵抗Rの平方根に比例します。

電磁誘導は電力線の電流がつくる磁界によるもので、誘導電圧は電流に比例します。

一方、静電誘導は電力線の電圧によるもので、静電誘導電圧は電圧に比例します。「電磁→電流、静電→電圧」と対で覚えましょう。

1回の標本化で nビットのデータができるので、1秒間の標本化回数（サンプリング周波数）は V÷n 回です。

サンプリング間隔はその逆数で n／V 秒です。

例：64kbit/s・8ビットなら 8÷64000＝125μs（8kHz標本化）になります。

直接変調方式は、半導体レーザの駆動電流をオン・オフ（増減）して、光の強度を変化させる方式です。構成が簡単ですが、高速になると波長が揺らぐ（チャーピング）欠点があります。

高速・長距離では、光源は一定で外部の変調器で変調する外部変調方式が使われます。

%SES（Severely Errored Seconds）は、1秒間の平均符号誤り率が1×10^－3を超える「ひどい誤りの秒」の割合です。

%ESは「1秒間に1個以上の誤りがあった秒」の割合です。

A・Bとも正しい。

ジッタはパルスの時間軸方向の揺らぎで、再生中継器のタイミング抽出の位相変動が原因の一つです。中継を重ねるほど蓄積します。

符号間干渉は、帯域が不足してパルスが広がり、隣のパルスに重なって識別を誤る現象です。

空間（Space）で分割して多元接続するのがSDMA（空間分割多元接続）です。

FDMAは周波数、TDMAは時間、CDMAは符号で分割します。CSMAは「送信前に回線が空いているか確認する」アクセス制御方式で、多元接続方式とは系統が異なります。