
- ①6
- ②8
- ③10
- ④12
- ⑤18
正解と解説を見る
左の経路では、57Vの電池から6Aが2Ωと3Ωを流れます。中央の節点の電圧は 57-6×(2+3)=27V です。
右の経路には3Aが流れ、3Vの電池(電流に逆らう向き)とR2があります。27=3+3×R2 より、R2=24÷3=8Ω。
なお、R1には 6-3=3A が流れるので、R1=27÷3=9Ω です。
工事担任者試験(総合通信)令和6年度第1回の「電気通信技術の基礎」全22問を、問題文・選択肢・正解と、根拠や計算過程まで書いた解説つきでまとめました。各問の「正解と解説を見る」を開くと答えを確認できます。

左の経路では、57Vの電池から6Aが2Ωと3Ωを流れます。中央の節点の電圧は 57-6×(2+3)=27V です。
右の経路には3Aが流れ、3Vの電池(電流に逆らう向き)とR2があります。27=3+3×R2 より、R2=24÷3=8Ω。
なお、R1には 6-3=3A が流れるので、R1=27÷3=9Ω です。

直列回路では、コイルとコンデンサのリアクタンスが打ち消し合います。X=36-15=21Ω。
合成インピーダンスは Z=√(20²+21²)=√(400+441)=√841=29Ω です。
20・21・29 は直角三角形の整数比なので、覚えておくと計算が速くなります。
レンツの法則は、誘導起電力の向きについての法則で、「磁束の変化を妨げる向き」に生じます。大きさを表すのがファラデーの法則です(令和7年度第2回で出題)。
誘導性リアクタンスは XL=2πfL で、周波数に比例します。周波数が高いほど電流が流れにくくなります。
逆に容量性リアクタンス XC=1/(2πfC) は周波数に反比例します。
濃度差による移動は拡散です。電界による移動はドリフトといいます(令和7年度第2回では「整合」と言い換えた誤りの文が出題)。

VBE=20×100÷(100+2400)=0.8V。図2で IB=40μA、図3で IC=4mA と読めます。
R3での電圧降下は 4mA×4kΩ=16V なので、VCE=20-16=4V。
令和7年度第2回はR3が3kΩで、答えは8Vでした。
A フォトダイオードは、光を電気に変換する機能を持ち、逆方向電圧を加えたpn接合部に光を当てると光の強さに応じた電流を生ずる半導体素子である。
B LEDは、電気を光に変換する機能を持ち、pn接合に順方向電圧を加えると光を放出する半導体素子である。
A・Bとも正しい。「受光(フォトダイオード)は逆方向、発光(LED)は順方向」です。令和8年度第1回では、両方の電圧の向きを逆にした誤りの文が出題されています。
FETはゲート電極の電圧で、ソース-ドレイン間を流れる電流を制御します。電流で制御するバイポーラトランジスタ(ベース電流)と違い、電圧で制御するのが特徴です。
入力側の電流IBと出力側の電流ICの関係なので電流伝達特性です。VCE-ICは出力特性、VBE-IBは入力特性です(令和7年度第1回で出題)。

3つの図すべてで斜線になっている領域を探すと、Bだけの部分、BとCが重なりAの外の部分、AとBが重なりCの外の部分の3つです。どれもBの円の中で、中央(A・B・C)を含みません。
A・B は「Bだけ」と「BとCの重なりのうちAの外」、B・C は「Bだけ」と「AとBの重なりのうちCの外」を表すので、合わせて A・B+B・C です。
| X1 | 11010111 |
| X2 | 11001011 |
| X3 | 10110011 |
| X4 | 10000110 |
10進数に直すと、X1=215、X2=203、X3=179、X4=134 です。
合計は 731。731=2×256+13×16+11 なので、16進数では 2DB です(13=D、11=B)。

Mの入力は A と B です。下側のNORには A と B が入るので、その出力は A+B=A・B(ド・モルガン)。
C=(Mの出力)+A・B です。MをXORにすると、A と B のXORは A・B+A・B となり、C=A・B+A・B が得られます。よって⑤の排他的論理和です。
ほかの素子では、たとえばORにすると C=A+B となり、条件に合いません。
それぞれの否定の中身を整理します。(A+B)+(A+C)=A+B+C、(A+B)+(A+C)=A+B+C です。
ド・モルガンで否定すると、A+B+C=A・B・C、A+B+C=A・B・C。
よって X=A・B・C+A・B・C です。

回線20kmの損失は 0.8×20=16dB。増幅器で26dB上げるので、全体は+10dB(電力10倍)です。
理想変成器は電力を変えないので、巻線比(3:4)は電力の計算には関係ありません。入力電力は 80÷10=8mW。
電圧で問われる場合は巻線比が効いてくるので、「電力か電圧か」を最初に確認しましょう。
A 平衡対ケーブルは、単位長さ当たりの心線導体抵抗を小さくすると伝送損失が増加する。
B 同軸ケーブルは、一般的に使用される周波数帯において信号の周波数が4倍になると、その伝送損失は、約2倍になる。
A:導体抵抗を小さくすると伝送損失は減少します。誤り。
B:同軸ケーブルの損失は、表皮効果により周波数の平方根に比例します。周波数が4倍なら損失は√4=2倍です。正しい。

SN比=10 log10(信号電力÷雑音電力)=10 log10(15÷0.0015)=10 log10104=40dB。
令和6年度第2回は、dBmで与えられたレベルの差から求める問題でした。
減衰量が周波数によらず一定で、位相変化が周波数に比例するとき、ひずみなく伝送できます。令和7年度第2回とまったく同じ問題文です。
変調度が1(100%)を超えると、振幅がゼロになる部分で包絡線が崩れ、元の信号を正しく復調できなくなります。これが過変調です。
A 光ファイバ増幅器は、一般に、識別再生回路、増幅用光ファイバ、タイミング抽出回路などで構成される。
B 光ファイバ増幅器は、波長が異なる信号光の一括増幅が可能であり、一般に、波長分割多重伝送方式を用いた光中継システムなどに使用されている。
A:識別再生回路やタイミング抽出回路を持つのは、光を電気に変えて波形を作り直す再生中継器です。光ファイバ増幅器は、励起光源・合波器・増幅用光ファイバ(EDFなど)・アイソレータなどで構成され、光のまま増幅します。誤り。
B:一括増幅でWDMに使われる、という説明として正しい。
導体中の電子の熱運動によって、信号の有無に関係なく常に発生するのが熱雑音です。
相互変調雑音や過負荷雑音は、信号があるときに発生する雑音です。
%SESの基準は1×10-3です。令和8年度第1回でも同じ空欄で出題されています。
屈折率の揺らぎによる散乱はレイリー散乱で、損失は波長の4乗に反比例します。波長が長いほど損失が小さいので、光通信では1.3μm帯・1.55μm帯が使われます。
OTDRは、このレイリー散乱の後方散乱光を利用して測定します。
| 問題 | 分野 | 正解 |
|---|---|---|
| 第1問(ア) | 直流回路(キルヒホッフの法則) | ② |
| 第1問(イ) | 交流回路(RLC直列) | ④ |
| 第1問(ウ) | 電磁気(レンツの法則) | ① |
| 第1問(エ) | 交流回路(誘導性リアクタンス) | ① |
| 第2問(ア) | 半導体(拡散) | ② |
| 第2問(イ) | トランジスタ(バイアス回路) | ② |
| 第2問(ウ) | ダイオード(受光・発光素子) | ③ |
| 第2問(エ) | 接合型FET | ④ |
| 第2問(オ) | トランジスタ(静特性) | ③ |
| 第3問(ア) | 論理回路(ベン図・論理積) | ② |
| 第3問(イ) | 2進数の加算と16進数 | ④ |
| 第3問(ウ) | 論理回路(論理素子の特定) | ⑤ |
| 第3問(エ) | ブール代数 | ④ |
| 第4問(ア) | 伝送理論(入力電力の計算) | ① |
| 第4問(イ) | 伝送理論(伝送損失) | ② |
| 第4問(ウ) | 伝送理論(SN比) | ③ |
| 第4問(エ) | 伝送理論(ひずみのない伝送) | ④ |
| 第5問(ア) | アナログ変調(過変調) | ① |
| 第5問(イ) | 光ファイバ増幅器 | ② |
| 第5問(ウ) | アナログ伝送の雑音(熱雑音) | ⑤ |
| 第5問(エ) | 伝送品質(%SES) | ④ |
| 第5問(オ) | 光ファイバ(レイリー散乱) | ② |
出典:一般財団法人日本データ通信協会 工事担任者試験問題(令和6年度第1回)。解説は当サイトが独自に作成したものです。誤りにお気づきの場合はご意見フォームからお知らせください。