基礎令和6年度第2回 工事担任者 総合通信「基礎」過去問と解説

3つの枝（3Ωと18V、4Ωと12V、6Ωと9V）がa－b間に並列につながっています。ミルマンの定理で、

V＝(18/3＋12/4＋9/6)÷(1/3＋1/4＋1/6)＝(6＋3＋1.5)÷0.75＝10.5÷0.75＝14V

「各枝の起電力÷抵抗の和」を「各枝の1÷抵抗の和」で割る、と覚えておくと、電源が複数ある並列回路はすぐ解けます。

各素子の電流は、I_C＝90÷90＝1A、I_L＝90÷18＝5A、I_R＝90÷30＝3A です。

LとCの電流は逆向きなので差をとり 5－1＝4A。全電流は √(3²＋4²)＝5A。

皮相電力は S＝V×I＝90×5＝450VA です。

自己誘導起電力は e＝L×ΔI／Δt で、自己インダクタンスと電流変化率の積です。令和8年度第1回とほぼ同じ問題です。

絶縁体（誘電体）の中では電荷は自由に動けませんが、原子・分子の中で電荷の偏りが生じ、表面に電荷が現れます。これが誘電分極です。

導体の場合は自由電子が移動して同じような現象が起き、これは静電誘導といいます。

4価のシリコンに5価の不純物（リン・ヒ素・アンチモン）を加えると電子が1個余り、n形半導体になります。令和5年度第1回と同じ問題です。

この回路はR_Bがコレクタとベースの間につながる「コレクタ帰還バイアス」です。R_CにはI_CとI_Bの両方が流れる点に注意します。

• I_B＝I_C÷h_FE＝2mA÷100＝0.02mA
• コレクタの電圧 V_CE＝12－3kΩ×(2＋0.02)mA＝12－6.06＝5.94V
• R_B＝(V_CE－V_BE)÷I_B＝(5.94－0.64)÷0.02mA＝265kΩ

I_Bを無視すると V_CE＝6V となり、268kΩ（④）を選んでしまうので注意しましょう。

コンデンサは直流を通さず交流を通すので、結合コンデンサを通すとバイアス（直流）を切り離して信号の交流分だけを取り出せます。

A：接合型FETの動作の説明として正しい。

B：逆です。ゲート電圧を加えなくてもチャネルがあるのがデプレション型、加えないとチャネルができないのがエンハンスメント型です。誤り。

エンハンス（強める）＝電圧を加えて初めてチャネルができる、と覚えると区別しやすいです。

コレクタ接地（エミッタホロワ）は、電圧増幅度は約1ですが、入力インピーダンスが高く出力インピーダンスが低いので、インピーダンス変換回路（バッファ）として使われます。

式を2つの項に分けて考えます。

• A･B･C：Aの円のうち、BとCが両方重なる部分（中央）を除いた領域
• A･B･C：BとCが重なる部分のうち、Aの外にある領域

つまり「中央（A･B･C）を除いたAの円」と「Aの外のBとCの重なり」が斜線で、Bだけ・Cだけの部分と中央は白い図を探します。これに当てはまるのは図4です。

10進数に直すと X₁＝11101＝29、X₂＝1011＝11 です。

X₀＝29×11＝319。319＝256＋3×16＋15 なので、16進数では 13F です（15＝F）。

上側のNORには a と b の排他的論理和（XOR）が、下側のNORには a と b のXOR（＝a・bのXORの否定）が入ります。2つの入力は常に逆なので、状態は保持されません。

• XOR＝1のとき：下側NORの入力は0、上側NORの出力cは0なので、d＝NOR(0,0)＝1
• XOR＝0のとき：下側NORの入力に1が入るので d＝0

つまり d は a と b のXORです。区間ごとに求めると 0,1,1,0,0,1,1,0 で、これと一致するのはd4です。

かっこの中の各項は、すべて A か B を含みます。A･B を掛けると A･A＝0、B･B＝0 となり、第3項はまるごと0になります。

残るのは X＝A･B＋A･B（AとBの排他的論理和）で、⑤です。

回線25kmの損失は 0.8×25＝20dB。増幅器で30dB上げるので、全体は＋10dB（10倍）です。変成器から出る電力は 24×10＝240mW。

2次側にはR₁とR₂（各600Ω）が並列に接続されているので、電力は半分ずつに分かれ、R₁で消費するのは120mWです。

令和7年度第2回には、R₁の電力から線路長を求める逆向きの問題が出ています。

音声周波での特性インピーダンスは Z≒√(R／2πfC) なので、周波数と静電容量の平方根に反比例し、導体抵抗の平方根に比例します。令和8年度第1回とも共通の問題です。

SN比〔dB〕＝信号レベル〔dBm〕－雑音レベル〔dBm〕です。

42＝－8－N より、N＝－50dBm。

電圧反射係数は (Z₂－Z₁)／(Z₁＋Z₂)、電流反射係数は (Z₁－Z₂)／(Z₁＋Z₂) で、符号だけが逆です。よって電流反射係数は－mです。

なお、電圧透過係数は 1＋m になります。

64＝2⁶ なので、64QAMは1シンボルで6ビットを送れます。16QAMなら4ビット、256QAMなら8ビットです。

A：TCM（時間軸圧縮多重）方式の説明として正しい。

B：波長間隔が狭い（高密度）のはDWDM（Dense）、広い（粗い）のがCWDM（Coarse）です。誤り。

受光素子で電子が粒として不規則に生じることによる電流の揺らぎがショット雑音です。

ASE（自然放出光）雑音は、光増幅器（EDFAなど）で生じる雑音です。

%ESは「1秒間に1個以上のビットエラーがあった秒」の割合です。エラーの数は関係なく、エラーのあった秒数を数えます。

エラーがあったのは2秒なので、2÷200×100＝1％ です。

640個という数字は、%SES（1秒間の誤り率が1×10^－3を超える秒）を判定するときに使う値です。

再生中継器の3つの機能（3R）は、等化増幅（Reshaping）・タイミング抽出（Retiming）・識別再生（Regenerating）です。